为什么反激电源的Vds波形在DCM模式下后一段的波形会震荡？如下图所示
核心是 “次级箝位消失 + 初级 LC 谐振”，具体逻辑很清晰：
DCM 模式下，当次级电流衰减到零后，次级整流二极管会自动截止 —— 这时候次级没法再通过变压器匝数比，把输出电压反射到初级，相当于 “次级对初级的电压箝位作用消失了”。
而初级侧还残留着漏感（没耦合到次级的电感），加上 MOS 管自身的寄生电容（Coss），这俩会直接构成一个 LC 谐振回路。漏感里没释放完的能量，会在漏感和寄生电容之间反复充放电，进而引发 Vds 波形震荡；又因为 RCD 吸收电路的电阻、MOS 管导通电阻等 “阻尼元件” 会消耗能量，所以震荡幅度会逐渐衰减，直到能量耗完。
简单说就是：次级 “管不住” 初级电压了，初级的漏感和寄生电容就开始 “自由震荡” 了～
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DCM模式中次级电流会降到零，当次级电感电流降到了零。这意味着磁芯中的能量已经完全释放了。那么因为二管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压不再反射回初级了。由于此时MOS的Vds电压高于输入电压，所以在电压差的作用下，MOS的结电容和初级电感发生谐振。谐振电流给MOS的结电容放电。Vds电压开始下降，经过1/4之一个谐振周期后又开始上升。由于RCD箝位电路以及其它寄生电阻的存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小。
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这种振荡是断续导通模式（DCM）操作的一个典型特征。它是由变压器的初级励磁电感与MOSFET漏极处的总寄生电容发生谐振所引起的。
波形的这一“后半部分”即所谓的“断续”或死区时间——也就是在副边二极管完成将所有储存能量传递给输出端之后、到初级MOSFET再次导通之前的这段时间。
以下是该现象的逐步解析：
1. 关键元件
振铃现象是由一个典型的LC谐振回路（也称“谐振槽路”）引起的，该回路由以下两个主要元件构成：
- 电感（L）： 反激变压器的初级励磁电感（
Lm）。 - 电容（C）： 开关节点处的总寄生电容（
C_node）。该电容是多个杂散电容的总和，包括：- MOSFET输出电容（
Coss）： 当前处于关断状态的MOSFET漏极与源极之间的电容，通常是主要贡献者。 - 变压器绕组电容（
Cw）： 初级绕组匝间存在的电容。 - PCB布局电容： 电路板走线引入的杂散电容。
- MOSFET输出电容（
2. DCM开关周期
为了理解其成因，我们来看DCM开关周期的三个不同阶段：
- MOSFET导通（ON）： 开关闭合，初级励磁电感（
Lm）中的电流线性上升，储存能量。此时Vds（漏源电压）接近0V。 - MOSFET关断（能量传递阶段）： 开关断开，储存在
Lm中的能量被转移到副边，输出二极管导通。Vds跃升至输入电压（Vin）加上反射输出电压（V_reflected）。 - MOSFET关断（死区时间）： 这是关键阶段。在DCM模式下，能量传递在下一个周期开始前就已经完成。
- 副边电流降至零。
- 输出二极管关断。
- 此时，变压器副边相当于从电路中“断开”，而初级侧也处于断开状态（因为MOSFET仍关断）。
- 初级励磁电感（
Lm）此时实际上与总节点电容（C_node）并联。 - 当二极管关断时电压的快速变化会激励这个LC谐振回路，使其以固有的谐振频率开始振荡（即“振铃”）：
f_r = 1 / (2\\pi \\sqrt{Lm \\cdot C_{node}}) - 这种（通常为衰减式）振荡将持续，直到MOSFET在下一周期重新导通为止。
3. 这种振铃是否存在问题？
可能有问题，但也可能带来好处：
- 负面影响（EMI）： 这种振铃属于高频振荡，可能成为显著的电磁干扰（EMI）源，导致电源无法通过相关法规认证测试。
- 正面影响（谷底开关）： 一些智能电源控制器，称为准谐振（QR） 或 谷底开关 控制器，专门设计用于检测这种振铃。它们会刻意在
Vds电压振荡至最低点（即“谷底”）时重新导通MOSFET。这种技术被称为零电压开关（ZVS） 或“软开关”，可显著降低开关损耗，从而大幅提升变换器的整体效率。
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