为什么反激电源的Vds波形在DCM模式下后一段的波形会震荡？如下图所示
核心是 “次级箝位消失 + 初级 LC 谐振”，具体逻辑很清晰：
DCM 模式下，当次级电流衰减到零后，次级整流二极管会自动截止 —— 这时候次级没法再通过变压器匝数比，把输出电压反射到初级，相当于 “次级对初级的电压箝位作用消失了”。
而初级侧还残留着漏感（没耦合到次级的电感），加上 MOS 管自身的寄生电容（Coss），这俩会直接构成一个 LC 谐振回路。漏感里没释放完的能量，会在漏感和寄生电容之间反复充放电，进而引发 Vds 波形震荡；又因为 RCD 吸收电路的电阻、MOS 管导通电阻等 “阻尼元件” 会消耗能量，所以震荡幅度会逐渐衰减，直到能量耗完。
简单说就是：次级 “管不住” 初级电压了，初级的漏感和寄生电容就开始 “自由震荡” 了～
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DCM模式中次级电流会降到零，当次级电感电流降到了零。这意味着磁芯中的能量已经完全释放了。那么因为二管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压不再反射回初级了。由于此时MOS的Vds电压高于输入电压，所以在电压差的作用下，MOS的结电容和初级电感发生谐振。谐振电流给MOS的结电容放电。Vds电压开始下降，经过1/4之一个谐振周期后又开始上升。由于RCD箝位电路以及其它寄生电阻的存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小。
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這種振盪是 DCM 操作的一個典型特徵。它是由變壓器的初級激磁電感與 MOSFET 漏極處的總寄生電容共振所引起的。
波形的這個「後段」就是所謂的「不連續」或死區時間——也就是在次級二極體已將所有儲存的能量傳遞至輸出端之後，到初級 MOSFET 再次導通之前的這段時間。
以下是此現象的逐步解析：
1. 關鍵元件
這種振鈴現象是由一個典型的LC 諧振槽路（又稱「槽路」）所產生，主要由以下兩個元件組成：
- 電感（L）： 返馳式變壓器的初級激磁電感（
Lm）。 - 電容（C）： 開關節點處的總寄生電容（
C_node）。此電容是多個雜散電容的總和：- MOSFET 輸出電容（
Coss）： 目前關閉狀態的 MOSFET 漏極與源極之間的電容，通常是最大的貢獻者。 - 變壓器繞組電容（
Cw）： 初級繞組匝與匝之間的電容。 - PCB 布局電容： 電路板走線所產生的雜散電容。
- MOSFET 輸出電容（
2. DCM 切換週期
為了理解此現象的成因，我們來觀察 DCM 切換週期的三個不同階段：
- MOSFET 導通（ON）： 開關關閉，初級激磁電感（
Lm）中的電流上升，儲存能量。此時Vds（汲極-源極電壓）接近 0V。 - MOSFET 關斷（OFF，能量傳遞）： 開關打開，
Lm中儲存的能量轉移到次級側，輸出二極體導通。Vds電壓瞬間上升至輸入電壓（Vin）加上反射輸出電壓（V_reflected）。 - MOSFET 關斷（死區時間）： 這是關鍵階段。在 DCM 模式下，能量傳遞會在下一個週期開始前就已完成。
- 次級電流降至零。
- 輸出二極體關斷。
- 此時，變壓器次級側等於從電路中「斷開」，初級側也因 MOSFET 關斷而斷開。
- 初級激磁電感（
Lm）現在實際上與節點總電容（C_node）並聯。 - 當二極體關斷時電壓快速變化所產生的「衝擊」激發了這個 LC 槽路，使其以自然諧振頻率開始振盪（振鈴）：f_r = 1 / (2\\pi \\sqrt{Lm \\cdot C_{node}})
- 這種（通常會衰減的）振盪會持續，直到下一個週期 MOSFET 再次導通為止。
3. 這種振鈴是問題嗎？
它可能帶來問題，但也可能成為優勢：
- 缺點（EMI）： 這種振鈴屬於高頻振盪，可能產生顯著的電磁干擾（EMI），導致電源無法通過法規認證測試。
- 優點（谷底切換）： 一些智慧型電源控制器，稱為準諧振（QR）或谷底切換控制器，專門設計用來偵測此振鈴現象。它們會刻意在
Vds電壓振盪至最低點（即「谷底」）時重新導通 MOSFET。這種技術稱為**零電壓切換（ZVS）**或「軟切換」，能大幅降低切換損耗，並提升轉換器的整體效率。
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