请教各位大佬关于GND划分的问题?(功率热地、模拟地、冷地)

1.我这里的电流放大器的负极,应该接功率热地还是跟单片机同同一个GNDA;

2.半桥驱动器应该接在功率热地对吗?谢谢

还有就是GND应该如何划分,有木有简单的方法判断?这个期间的GND应该归哪个参考地。谢谢

  1. 電流放大器的負端應與MCU(微控制器單元)的GND連接,以使MCU能收集準確的電壓。INA180具有自身的輸入共模範圍,上述結論僅在電源熱地電壓不超出此輸入共模範圍時成立。

  2. 半橋驅動器應連接至電源熱地,但同樣需確保其輸入電平(IN電平)的正確性。

  3. 補充說明:電源熱地與冷地需特別區分。一般所稱的「電源熱地」通常指全波整流後的接地端,其電位相對於大地是浮接的。

这个没有统一的要求,一般驱动管子的驱动芯片都是接在管子d附近,然后会通过下拉电阻把输入的驱动信号下拉到地

第二个就是信号地和大电流的地要分开

一般都是在电解电容那个d作为一个静态接地,也不要接那个大电流的地

要解决GND划分的问题,需明确 功率地(GND)小信号地(GNDA) 的本质区别:功率地承载大电流、高功率回路,易产生纹波噪声;小信号地用于微弱信号电路,需避免噪声干扰以保证精度。以下针对你的问题逐一分析:

1. 电流放大器(INA180A1)的接地选择

INA180A1是小信号精密电流放大器,属于对噪声非常敏感的小信号电路。因此,它的负极应接GNDA(小信号地),避免功率地的纹波噪声干扰放大精度。

2. 半桥驱动器(LM5106NM)的接地选择

LM5106NM是功率驱动芯片,用于驱动功率MOS管(Q2),属于大电流、高功率的功率回路部分。因此,它应接功率热地(GND),保证功率回路的电流连续性和稳定性。

GND划分的简单判断方法

可从电流大小信号类型两个维度判断:

  • 功率地(GND):承载大电流、高功率的器件/回路,如功率MOS管、电感、大容值滤波电容、功率驱动芯片、大电流采样电阻(如这里的功率回路部分)等。
  • 小信号地(GNDA):处理微弱信号、对噪声敏感的器件/回路,如运放、ADC、单片机、传感器、小信号滤波电容等。

此外,需注意单点共地原则:功率地和小信号地最终应通过一个点连接(如电源输出端或特定接地点),避免形成地环路,进一步减少噪声串扰。

综上,电流放大器接GNDA,半桥驱动器接功率GND;划分GND的核心是区分“功率大电流回路”和“小信号精密回路”,分别归到功率地和小信号地即可。

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