Los precios de los chips de almacenamiento en 2026 están subiendo tanto, ¿han ajustado sus diseños?

最近在做新项目的BOM选型,被存储器价格吓了一跳。去年一颗128Mbit的SPI NOR Flash才两三块钱,现在报价直接翻倍了,交期还要12周起步。DDR3/DDR4的价格也是水涨船高,有采购说有的型号都快缺货了。

简单看了一下行业新闻,IDC说今年智能手机出货量预计下滑近13%,核心原因就是内存短缺和涨价-。手机面板价格也在全线下跌,上游成本全压在终端品牌身上了-。看来这次存储器涨价是全产业链的事,不只是我们这些小公司难受。

说回正题:我们目前的产品主控是STM32H750,外扩了一片16MB的QSPI Flash(W25Q128)和32MB的SDRAM。按现在的行情,这套存储方案成本比去年高了快40%,老板已经要求想办法降本了。

想请教一下各位:

  1. 有没有性价比高的NOR Flash替代型号推荐?华邦的现在太贵了,国产的兆易创新、普冉、复旦微的稳定性怎么样?
  2. 对于不需要跑复杂UI的嵌入式应用,有没有可能用内置大容量Flash的MCU直接替代外扩Flash?比如STM32U5或者国产的类似方案?
  3. 大家现在的BOM策略是怎么调整的?是提前备货锁价,还是硬扛着等价格回落?

欢迎各位大佬分享经验,一起避坑!

Como comprador de componentes electrónicos, puedo decirle con responsabilidad al autor del hilo: el mercado de memorias este año realmente está fuera de control y no se prevé una bajada de precios a corto plazo. En mi caso, el precio actual del W25Q128JVSIQ ya supera los 6 yuanes (impuestos incluidos), con un plazo de entrega de 12-16 semanas. En la fábrica matriz, la asignación de cupos depende completamente de las relaciones personales. Winbond da prioridad a los grandes clientes del sector móvil para abastecer su producción, mientras que los clientes medianos y pequeños reciben cada vez menos cupos.

En cuanto a opciones de sustitución, nuestra empresa está evaluando recientemente el GD25Q128 de GigaDevice, cuyo precio es aproximadamente un 20% más bajo que el de Winbond, con un plazo de entrega más corto (6-8 semanas). En términos de estabilidad, ya hemos realizado pruebas durante medio año en varios productos industriales en producción masiva y hasta ahora no hemos detectado problemas. Pero hay que reconocer que la velocidad de escritura de GigaDevice es ligeramente inferior a la de Winbond, y el tiempo de borrado es un poco más largo; si el producto requiere altas velocidades de lectura y escritura, será necesario realizar pruebas específicas.

Otra opción nacional es el P25Q128H de Puya, cuyo precio es aún más competitivo. No obstante, nuestros tests revelan que su capacidad para retener datos a altas temperaturas es algo inferior a la de Winbond; es adecuado para productos de consumo, pero debe usarse con precaución en aplicaciones industriales o automotrices.

En lo referente a la reserva de stock con precio fijo, sugiero que, si el ciclo de vida del producto es largo y el uso anual es estable, se firme un acuerdo marco anual para garantizar parte de la capacidad de producción. Sin embargo, este tipo de acuerdo suele tener un MOQ (mínimo de pedido), lo que podría dificultar las negociaciones para las pequeñas empresas.

¡Buenas preguntas por tu parte, creador del hilo! Nosotros también hemos estado trabajando recientemente en proyectos para reducir costos. Comparto algunas observaciones:

  1. Los microcontroladores con Flash interno de gran capacidad son sin duda una opción adecuada. La serie STM32U5 incluye hasta 4 MB de Flash interno, suficiente para interfaces de usuario ligeras y almacenamiento de datos generales. No obstante, ten en cuenta que el número de ciclos de escritura/eliminación del Flash interno es limitado (normalmente 100 000 ciclos); si tu aplicación requiere escrituras frecuentes, sigue siendo recomendable añadir memoria externa.
  2. Considera utilizar microcontroladores chinos. Marcas nacionales como GD32, AT32 y MM32 ofrecen precios un 30 %–50 % más bajos que ST con especificaciones similares, además de una mayor variedad en capacidades de Flash interno. Por ejemplo, el GD32F450 incluye hasta 2 MB de Flash interno, con prestaciones comparables al STM32F429. El año pasado sustituimos el STM32F407 por el GD32F407 y los ahorros logrados compensaron exactamente el aumento de precios del almacenamiento. Eso sí, ten en cuenta también la carga de trabajo necesaria para la migración.
  3. Alternativas a SDRAM: Si no necesitas un ancho de banda extremadamente alto, podrías optar por PSRAM (RAM pseudoestática), como el APS6404L de AP Memory, con capacidades de 8–64 MB, interfaz SPI, facilidad de diseño de circuitos y un coste inferior al de la SDRAM.
  4. Respecto al panorama industrial general, también se ha discutido en el foro de bandgap ancho de Infineon: actualmente los retos en densidad de potencia y disipación térmica son cada vez mayores; considerando estos factores, la presión sobre el BOM es considerable.

Soy desarrollador de firmware para controladores de almacenamiento, comparto algunos detalles técnicos para su referencia.

Hemos utilizado ampliamente la serie GD25Q de GigaDevice, y funciona con confiabilidad dentro del rango de temperatura industrial; su conjunto de instrucciones es básicamente compatible con la serie W25Q, con bajo costo de migración. Un problema que hay que tener en cuenta es que la definición del bit BUSY en el Registro de Estado de GD25Q difiere ligeramente de la de W25Q. Si el código usa un método de verificación por encuesta para detectar la finalización de escritura, es necesario ajustar la lógica de validación, de lo contrario podrían producirse errores de interpretación.

Además, si el producto es electrónico de consumo y tiene una alta sensibilidad al costo, también se puede considerar la serie P25Q de Puya. P25Q utiliza un proceso SONOS, diferente al proceso de puerta flotante tradicional, lo que teóricamente ofrece ventajas en costo y consumo de energía. En nuestras pruebas, hemos encontrado que su corriente en modo Deep Power Down es realmente un 30 % menor que la de Winbond, lo que lo hace adecuado para dispositivos alimentados por batería. Sin embargo, aún no hemos realizado pruebas aceleradas completas para verificar la retención de datos a altas temperaturas; si alguien las ha realizado, sería útil que compartiera sus resultados.

Otra pequeña sugerencia: si en el diseño se utiliza una Flash de 1.8V (como la W25Q128JW), podría considerarse sustituirla por una versión de 3.3V. A veces los componentes de 3.3V son más fáciles de conseguir que los de 1.8V y también suelen ser más económicos, aunque el consumo de energía será un poco mayor.