9527
1
我正在进行IGBT双脉冲测试,该测试模拟IGBT在大负载和高感抗条件下发生相间短路(即II型短路)时的工作状态。我有几个问题需要请教:
-
为什么在第一个脉冲阶段,电流需要上升到IGBT的额定电流?
-
第一个脉冲关断后,为什么第二个脉冲需要使电流上升到额定电流的两倍?
-
如何确定两个脉冲之间的关断时间?该时间是否与全桥的死区时间相关?
-
在测量IGBT的开通损耗、关断损耗及寄生电感时,为什么用第一个脉冲的关断过程计算关断损耗,而用第二个脉冲的开通过程计算开通损耗?特别是寄生电感的计算原理是什么?
-
当第二个脉冲关断时,若反向电压尖峰已达到额定值但电流未达到要求值,应如何处理?
以上问题是否有理论依据?
ABC
2
你没说清楚自己在设计什么,或者为什么要测试短路条件。是电机驱动需要防用户误操作的短路保护吗?这种情况很常见。具体是哪种短路?相间短路还是对地短路?两种都要考虑吗?
双脉冲测试(DPT,有时也叫two pulse testing)通常用于测试各类电力电子系统及其动态特性。如果你是刚接触这类测试,可以用上述关键词搜到不少资料。英飞凌的这份白皮书就很不错(我记得也发表在Bodos Power杂志上):
https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/60/54/infineon-double-pulse-testing-bodos-power-systems-article-en.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171ee81ad6c4a1f
开始测试时,要选用与系统预期匹配的电感值,比如UPS滤波器的输出电感。对于电机驱动,这个值会根据产品所驱动电机的特性在一定范围内变化——高转差异步电机电感较大,永磁电机(尤其是高速型)则较小。你选择的电感值会与直流母线电压共同决定电流变化率di/dt,即:
V/L = di/dt(测试电流的斜率)
需要让功率级在整个电流范围内工作(从极小电流到过载区间)。我通常会测试近乎零关断时间的情况,以检查二极管反向恢复等问题。当然也可以测试短路工况——我会从极低电压开始谨慎操作(短路电感L会使V/L值变得很小)。
搭建DPT系统最棘手的部分之一是找到能生成脉冲串的信号源。有些函数发生器可以做到,但我一般用555定时器加逻辑电路自己搭,而且会先撇开功率级单独调试这套逻辑。
务必格外小心!操作不当可能导致炸机。我习惯用低功率调压器供电,再通过整流桥和电容组生成直流电,电容组规格会尽量接近实际设计用量。如果特别担心危险,还会在调压器后加隔离变压器,这样既能悬浮功率级,又能给前端电源增加软性阻抗(IGBT故障时电压会快速跌落)。
特别注意示波器接地问题!我倾向用差分探头隔离测量,这样即使接两个以上探头也不会造成DPT系统接地故障。
刚开始测试时,先从低电压、小电流起步,确保栅极驱动正常后再逐步加压加流。IGBT其实容错性不错,但仍需谨慎对待。我职业生涯早期就曾烧焦过指关节的汗毛,那次教训让我深刻认识到电力电子的危险性——但这依然是条超棒的职业道路,而且充满乐趣。
祝项目顺利。
CCC
3
这是一个关于IGBT双脉冲测试的优秀问题集!该测试确实是表征功率半导体动态开关性能和安全工作极限的基础。
以下是您问题的理论依据和解释:
电流水平的原理
选择特定电流水平是为了表征IGBT在其额定条件和安全工作区(SOA)内的性能。
脉冲间隔的关断时间
- 如何确定两个脉冲之间的关断时间?它是否与全桥的死区时间相关?
- 两个脉冲之间的关断时间(或换流时间 / 关断时间)由二极管完全恢复和稳定测量的需求决定。
- 主要目标: 续流二极管(FWD)必须在第二个脉冲开始前完全恢复阻断能力,并允许电流通过大负载电感仅轻微衰减。如果第二个脉冲启动时FWD仍处于反向恢复阶段,开通测量将失真。典型持续时间可能在几微秒($\mu s$)到几十微秒之间,但主要取决于FWD的**反向恢复时间($\boldsymbol{t_{rr}}$)**和电感值。
- 死区时间: 此关断时间与转换器电路中的死区时间(或消隐时间)概念相似,但并非直接相同。死区时间是开关关断与互补开关开通之间施加的短保护延迟,用于防止“直通”短路。双脉冲测试中的关断时间通常比应用中的死区时间长得多,因为其功能是管理磁能并确保下一次测量的电流稳定。
损耗与杂散电感测量
电压与电流极限的处理
- 如果第二个脉冲关断时反向电压尖峰已达到额定值,但电流未达到要求值,应如何处理?
- 关断时的反向电压尖峰($V_{CE, peak})**必须**永远不超过器件的额定阻断电压(\boldsymbol{V_{CES}}$),否则会导致破坏性击穿。IGBT可安全关断的最大电流受**反向偏置安全工作区(RBSOA)**限制。
- 操作: 如果$V_{CE, peak}$在电流达到目标值前(如短路测试中的$2 \times I_{C, rated}$)已达到$V_{CES}$(或为安全裕量保留80%的$V_{CES}$),您必须停止增加电流。
- 安全提升电流的补救措施:
- 增加栅极电阻($\boldsymbol{R_G}$): 更大的$R_G$减缓关断$\frac{di}{dt},从而降低\Delta V$尖峰(因$\Delta V \propto \frac{di}{dt}$),允许IGBT在电压极限前关断更高电流。
- 减小杂散电感($\boldsymbol{L_s}$): 优化测试电路布局(更短、更宽的母线)以最小化$L_s$。因$\Delta V$与$L_s$直接成正比,减小$L_s$可直接降低电压尖峰。
- 调整直流母线电压($\boldsymbol{V_{DC}}$): 略微降低$V_{DC}也能为\Delta V$尖峰预留裕量,避免达到$V_{CES}$极限。
此视频演示了IGBT双脉冲测试的实际设置和过程,直观展示了两个脉冲及对应的波形。
如何测量开关损耗 - 双脉冲测试