我们客户要求要对代码存储区(code flash)增加外部读保护机制
我在TRM手册中只看到有flash 写保护
读保护应该怎么实现?
我们客户要求要对代码存储区(code flash)增加外部读保护机制
我在TRM手册中只看到有flash 写保护
读保护应该怎么实现?
实现代码存储区的读保护可通过硬件级机制与加密技术结合。以 STM32 系列为例,可通过设置选项字节中的读保护(RDP)级别实现。例如:
RDP 级别 1:禁用调试接口(JTAG/SWD),禁止从 SRAM 或系统内存启动时访问 Flash,仅允许芯片自身程序读取。
RDP 级别 2:进一步熔断调试接口,彻底禁止任何外部访问,且不可逆。
同时,可配合熔丝位(如 AVR 的 SPIEN 位)禁用编程接口,防止通过 ISP 读取 Flash。若需更高安全性,可集成硬件加密模块(如 HSM),通过 AES/SM4 算法对 Flash 内容加密,密钥存储在外部安全芯片中。
针对外部读保护需求,可采用以下方案:
以上方法需根据具体 MCU 型号和安全需求组合使用,同时建议参考厂商 TRM 中的安全章节(如 STM32 的 Option Bytes 配置流程)。