Flash读保护怎么实现?

我们客户要求要对代码存储区(code flash)增加外部读保护机制

我在TRM手册中只看到有flash 写保护

读保护应该怎么实现?

实现代码存储区的读保护可通过硬件级机制与加密技术结合。以 STM32 系列为例,可通过设置选项字节中的读保护(RDP)级别实现。例如:

  1. RDP 级别 1:禁用调试接口(JTAG/SWD),禁止从 SRAM 或系统内存启动时访问 Flash,仅允许芯片自身程序读取。

  2. RDP 级别 2:进一步熔断调试接口,彻底禁止任何外部访问,且不可逆。

    同时,可配合熔丝位(如 AVR 的 SPIEN 位)禁用编程接口,防止通过 ISP 读取 Flash。若需更高安全性,可集成硬件加密模块(如 HSM),通过 AES/SM4 算法对 Flash 内容加密,密钥存储在外部安全芯片中。

针对外部读保护需求,可采用以下方案:

  1. 物理级保护:通过烧写熔丝位(如 Nordic nRF52 的永久读保护)永久禁用调试接口,擦除芯片需物理销毁。
  2. 动态加密验证:在启动时通过随机数 + DES 算法生成校验值,结合 HASH 运算(如 SHA-256)验证代码完整性,若 3 次失败触发自毁机制擦除关键数据。
  3. 安全启动(Secure Boot):利用硬件安全模块(HSM)建立信任链,逐级验证固件签名。例如,英飞凌 TC3xx 系列通过 HSM 内置密钥解密启动代码,验证通过后释放控制权给主 CPU。
  4. 硬件加密引擎:选择内置加密模块的 MCU(如 NXP S32K 的 CSEc 或芯必达 IM94xx 的 HSM),对 Flash 内容进行硬件级加密,防止直接读取。

以上方法需根据具体 MCU 型号和安全需求组合使用,同时建议参考厂商 TRM 中的安全章节(如 STM32 的 Option Bytes 配置流程)。