基於 UC3842 的開源 24V3A 返馳式電源供應器,附變壓器參數計算

开源一个宽输入电压、24V 3A输出的反激式开关电源。该72瓦设计实现了87.4%的峰值效率,基于UC3842控制器芯片并采用同步整流(UCC24612-1DB)。包含完整的电路和变压器参数计算过程、原理图、PCB设计、PSIM仿真模型、变压器制造规格等。

前言

:round_pushpin:这是我首次设计反激式电源,欢迎各位专家提出反馈或改进建议。

:rocket:顺便一提,我目前正在找工作。如广州、佛山或深圳的雇主有招聘需求,欢迎联系。可在我的OSHWHub主页查看开源项目: https://oshwhub.com/zeruns/works

项目演示视频与设计过程视频: https://www.bilibili.com/video/BV1ES4GzQE19/

OSHWHub开源链接: https://oshwhub.com/zeruns/24v3a-Flyback-Power-Supply-uc384x

电子/MCU技术讨论QQ群:2169025065

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警告:制作开关电源存在危险。本人不对本设计中的任何电路、参数或公式正确性负责。若您复制或参考本项目,需自行承担所有潜在风险。

小批量(20套)的预估平均成本约为25元(不含PCB和变压器,元件价格来自立创商城)。包含PCB和变压器的总成本不应超过50元。


设计参数

参数 数值
额定输入电压 V_{acnom} 220VAC
最小输入电压 V_{acmin} 85VAC
最大输入电压 V_{acmax} 265VAC
电网频率 f_L 50Hz
输出电压 V_{out} 24V
输出电流 I_{out} 3A
工作频率 f_s 150kHz
目标效率 η 85%

PCB尺寸:100x55mm

PCB规格:双层板,顶层为通孔元件,底层为贴片元件。


实物照片

下图显示的是第二版。

下图显示的是第一版,存在一些问题且容易烧毁MOS管。这些问题已在上图第二版中修复。

高频变压器:


功能测试与性能测量

初次上电测试

初次上电测试时,建议串联一个灯泡以防止短路导致整套元件烧毁。测试确认输出正常,输出电压为24.1V(下图显示0.9A负载测试)。

串联灯泡的目的是利用其限流保护作用。正常情况下,灯泡电阻较小,电压降低,灯泡微亮或熄灭,不影响电源测试;若电源内部短路,回路电流骤增,灯泡固定电阻将承担大部分电压降,限制过电流,避免电源元件因大电流烧毁。

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也可用直流输入测试。我使用60V直流输入测试,电源正常启动并输出24V。但需将启动电阻(R24+R16)从200kΩ改为100kΩ(短接其中一个)。原阻值过高导致低压无法启动。

转换效率测试

使用测试设备:

实测数据:

输入电压 (V) 输入电流 (A) 输入视在功率 (W) 输入有功功率 (W) 输出电压 (V) 输出电流 (A) 输出功率 (W) 效率 (%) 功率因数
219.85 0.029 6.38 2.10 24.13 0.00 — — 0.33
219.83 0.251 55.18 28.69 24.10 1.00 24.10 83.99 0.52
219.59 0.438 96.18 55.78 24.07 2.00 48.14 86.30 0.58
219.65 0.637 139.92 82.55 24.05 3.00 72.15 87.40 0.59
111.55 0.036 4.02 1.81 24.13 0.00 — — 0.45
111.13 0.406 45.12 28.88 24.10 1.00 24.10 83.46 0.64
110.89 0.753 83.50 56.78 24.06 2.00 48.12 84.75 0.68
110.58 1.097 121.31 84.91 24.00 3.00 72.00 84.79 0.70

最高实测效率为87.4%。最低空载功耗为1.81W,略高。

以上数据采用二极管整流方式测量,未使用同步整流。这是由于所选同步整流MOSFET的导通电阻偏高,导致效率略低。可更换更优MOSFET进行测试。电压耐压需200V或更高(若在同步整流侧焊接20Ω电阻R9和2.2nF电容C8,可选用150V耐压MOSFET)。

输出电压纹波测试

示波器型号为Rigol DHO914S:https://blog.zeruns.com/archives/764.html

测试时示波器探头夹在约15cm长的输出导线上,未使用接地弹簧,也未直接跨接在输出电容两端。因此实测输出纹波可能偏高。

空载纹波,峰峰值约730mV。纹波频率138.96kHz,接近开关频率。

3A负载纹波,峰峰值约562.08mV。

MOSFET波形

交流输入220V、输出24V带1A负载时,原边开关MOSFET的栅源极(GS)和漏源极(DS)电压波形。黄色为栅源极电压波形,蓝色为漏源极电压波形。

图中可见MOSFET关断时漏极电压尖峰最高约440V(串联了灯泡,忘记切换到直连模式,因此电源输入电压可能刚过100V,导致实测电压较低)。

栅极电压波形放大图。

输出整流二极管波形

60V直流输入、24V空载输出时输出整流二极管电压波形。电压尖峰最高约56V。(在二极管两端焊接20Ω电阻R9和2.2nF电容C8后,电压尖峰降至42V)。

60V直流输入、24V带1A负载输出时输出整流二极管电压波形。电压尖峰最高约190V。(在二极管两端焊接20Ω电阻R9和2.2nF电容C8后,电压尖峰降至81V)。

空载启动输出电压波形

60V直流输入、24V空载输出时输出电压波形。电压从0V上升至24V耗时7毫秒。

热性能

空载时电源底部热成像。最热点位于启动电阻,温度约60°C(环境温度约25°C)。原边MOSFET温度约48°C。

3A负载时电源底部热成像。最热点位于原边MOSFET或RCD吸收电路电阻,温度超过88°C(环境温度约26°C)。次级整流二极管温度可能也高于60°C。

满载时温度偏高。长期满功率运行需为原边开关管加装散热片或将热量传导至外壳!


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原理图


PCB

顶层

底层


下载链接

以下链接包含:JLCEDA项目文件、原理图PDF、PCB制造用Gerber文件、SMPS设计工具SMPSKit、反激变压器计算表(Mathcad)、丝印图、变压器规格书、各芯片数据手册、PSIM仿真模型、波特图Matlab代码及其他参考资料(部分资料来自互联网)。

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